特許

J-GLOBAL ID：200903094646744156

半導体基体と、半導体基体および薄膜半導体の製造方法

発明者： 田舎中 博士
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063135
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256362
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 各種使用目的、態様に応じた最適強度、構造の半導体基板を容易、かつ安価に提供し、各種半導体装置を量産的に、歩留り良く、高い収率をもって、したがって、低コストをもって製造できるようにする。【解決手段】 半導体基体11上に、複数の柱状体15が分散して存在する空洞層13を介して単結晶半導体層14が形成された半導体基体を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に、複数の柱状体が分散して存在する空洞層を介して単結晶半導体層が形成され、該単結晶半導体層上に多孔質層が形成され、該多孔質層上に、所要の材料膜の成膜がなされたことを特徴とする請求項1に記載の半導体基体。

IPC (5件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 27/12 B ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/306 P ,  H01L 31/04