ホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-088317
公開番号（公開出願番号）：特開平5-197128
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】位相シフタのエッジ部の転写をなくし、しかもクロムパターンと1種のシフタで構成される製作の容易なコストの安いホトマスクを得る。【構成】一定のピッチを有するライン・アンド・スペースパターン用位相シフトマスクにおいて、スペースの幅S2 に比して広く形成される幅L2 を有するクロムパターン(ライン)32と、前記スペースに形成される位相シフタ33とを設けるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

一定のピッチを有するライン・アンド・スペースパターン用位相シフトマスクにおいて、(a)スペースの幅に比して広く形成される幅を有するラインと、(b)前記スペースに形成される位相シフタとを具備するホトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 311 W

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