特許
J-GLOBAL ID：200903094652639569
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182911
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037892
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高温短時間、低温短時間の熱処理でも十分に汚染物質を除去することができるようにし、信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】 本発明では、半導体基板1表面に形成された素子分離絶縁膜4と、この素子分離絶縁膜4で囲まれた素子領域とから構成され、前記素子分離絶縁膜4を貫通して前記半導体基板1に到達するように形成され、内部に基板内不純物収集効率の高い物質23を充填してなる溝22を具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成された素子分離絶縁膜と、この素子分離絶縁膜で囲まれた素子領域とから構成され、前記素子分離絶縁膜を貫通して前記半導体基板に到達するように形成され、内部に金属不純物収集物質が充填されてなる溝を具備したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
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