特許

J-GLOBAL ID：200903094652813305

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190270
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190850
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】イオン注入に起因した結晶欠陥を効果的に防止でき、半導体装置の微細化に十分対応でき、スループットの低下を生じさせることがなく、工程全体の温度を極力低く抑えることができる、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体装置の製造方法は、(イ)シリコン基板に不純物をイオン注入する第1のイオン注入工程と、(ロ)600乃至800 ゚Cの温度でアニールする第1のアニール工程と、(ハ)第1のイオン注入工程でイオン注入されたシリコン基板の領域に、不純物をイオン注入する第2のイオン注入工程と、(ニ)高温、短時間アニールを行う第2のアニール工程、から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)シリコン基板に不純物をイオン注入する第1のイオン注入工程と、(ロ)600乃至800 ゚Cの温度でアニールする第1のアニール工程と、(ハ)第1のイオン注入工程でイオン注入されたシリコン基板の領域に、不純物をイオン注入する第2のイオン注入工程と、(ニ)高温、短時間アニールを行う第2のアニール工程、から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-263435
  
• 特開平1-233723
  
• 特開昭61-190957
  
• 特開昭57-106123