特許
J-GLOBAL ID：200903094653949090
セラミック積層デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-113443
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315183
出願日： 1992年05月06日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は導体とセラミックを積層後一体焼成する積層デバイスの製造方法に関するものであり、特に導体層の厚みが厚い場合や、積層数が多い場合に積層が容易で、かつ欠陥のない焼成体を得ることを目的とする。【構成】 有機フィルム1に形成したセラミックグリーンシート2に導体となるべき部分に開口部3を設け、この開口部に導体ペースト4を充填することにより、凹凸のない導体パターンを含むグリーンシートを作製し、このシートとグリーンシートを必要枚数積層する。
請求項（抜粋）：
セラミック誘電体または絶縁体グリーンシートと導体を積層し、その後一体焼成してなるセラミック積層デバイスの製造方法において、グリーンシートのベースとなる有機フィルム上に誘電体または絶縁体グリーンシートを形成した複合シートを作製し、前記複合シートから形成されるべき所定の導体パターンを除去して導体となるべき開口部を作製し、つぎに、複合シートのベースとなる有機フィルム側から、前記導体パターン開口部を覆う状態で導体ペーストを印刷して、開口部を導体ペーストで充填した導体パターン付きセラミックグリーンシートを作製し、少なくとも1枚、または、複数枚のセラミックグリーンシートが導体パターン付きセラミックグリーンシートである必要枚数のグリーンシートを積層したのち、個片に切断し、焼成し、外部接続電極を設置したことを特徴とするセラミック積層デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01G 4/12 364
, H01F 17/00
, H03H 7/01
, H05K 3/46
