特許
J-GLOBAL ID:200903094654929122

発光素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-073254
公開番号(公開出願番号):特開2006-260820
出願日: 2005年03月15日
公開日(公表日): 2006年09月28日
要約:
【課題】 高輝度で安定性の高い発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 電圧を印加することにより発光する発光素子であって、基板14と、基板14上に配置された第1の電極11と、第1の電極11上に配置された発光層12と、発光層12上に配置された第2の電極13と、から構成され、発光層12は半導体微粒子と、半導体微粒子を隔てる多孔質絶縁体薄膜から構成され、発光層12がX線回折測定において1nm以上の構造周期性に対応する角度領域に少なくとも一つ以上の回折ピークを有していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電圧を印加することにより発光する発光素子であって、 基板と、 前記基板上に配置された第1の電極と、 前記第1の電極上に配置された発光層と、 前記発光層上に配置された第2の電極と、を有し、 前記発光層は、半導体微粒子と、前記半導体微粒子を隔てる多孔質絶縁体膜と、を有し、 前記発光層が、X線回折測定において1nm以上の構造周期性に対応する角度領域に少なくとも一つ以上の回折ピークを有していることを特徴とする発光素子。
IPC (4件):
H05B 33/14 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ,  H05B 33/10
FI (4件):
H05B33/14 Z ,  C09K11/00 F ,  C09K11/08 B ,  H05B33/10
Fターム (9件):
3K007AB02 ,  3K007AB12 ,  3K007AB18 ,  3K007DB00 ,  3K007FA01 ,  4H001CA01 ,  4H001CA02 ,  4H001CF02 ,  4H001YA25
引用特許:
出願人引用 (1件)

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