特許
J-GLOBAL ID：200903094655356924
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274772
公開番号（公開出願番号）：特開平11-120777
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】設計が容易で高速読み出しを実現できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】読み出し時に、ワード線WL1への印加電圧とメモリセルトランジスタMT1のフローティングゲートにおける電荷蓄積量に基づいてビット線BL1に流れた電流をその値に応じた電圧に変換して並列比較回路120に出力する電流・電圧変換回路110と、メモリセルトランジスタに記録され得る複数のデータに応じて異なる値をとる読み出し電流毎に対応して設定された3つの参照電圧Vref1,Vref2,Vref3を生成し、電流・電圧変換回路110から出力された電圧V110と各参照電圧Vref1,Vref2,Vref3との大小をそれぞれ並列に比較し、3つの比較結果をデータ変換回路130に出力する並列比較回路120とを設ける。
請求項（抜粋）：
接続されたワード線およびビット線への印加電圧に応じて電荷蓄積部に蓄積された電荷量が変化し、その変化に応じてしきい値電圧が変化するメモリセルトランジスタを有し、上記メモリセルトランジスタのしきい値電圧に応じて当該メモリセルトランジスタに3値以上の多値データを記録し、読み出し時には、ワード線電圧と電荷蓄積量に基づく値の電流をビット線に流す不揮発性半導体記憶装置であって、上記ビットに流れた読み出し電流をその値に応じた電圧に変換する電流・電圧変換回路と、上記メモリセルトランジスタに記録され得る複数のデータに応じて異なる値をとる読み出し電流毎に対応して設定された複数の参照電圧が供給され、上記電流・電圧変換回路から出力された電圧と各参照電圧との大小をそれぞれ並列に比較する並列比較回路とを有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 634 C
