特許

J-GLOBAL ID：200903094655553118

結晶化方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 有門 経敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264738
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094064
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 結晶化過程をモニターしアモルファス領域が完全に消滅したところで終点とする、あるいは基板上の強誘電体成膜のどの領域でも一様な強誘電特性を有する成膜の結晶化方法を提供することにある。【解決手段】 基板5上に形成されたアモルファス状態の半導体膜又は絶縁体膜を結晶化させる工程において、前記半導体膜又は絶縁体膜にレーザ光を照射し、アモルファス状態の前記半導体膜又は絶縁体膜から放出されるラマン散乱光と結晶化した前記半導体膜又は絶縁体膜のラマン散乱光とを同時にラマン分光器9で測定し、その強度比を最適値になるように温度を制御する。従来モニタすることのできなかったPZT膜などの強誘電体膜の質的相違を検出できる。強誘電体特性のバラツキの原因を熱工程中にモニターすることができる。ウエーハ面内あるいはウエーハ間での特性バラツキを大幅に改善することが可能になる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたアモルファス状態の半導体膜又は絶縁膜を結晶化させる工程において、前記半導体膜又は絶縁膜にレーザ光を照射し、アモルファス状態の前記半導体膜又は絶縁膜から放出されるラマン散乱光と結晶化した前記半導体膜又は絶縁膜から放出されるラマン散乱光とを同時に測定し、その強度比を最適値になるように基板温度を制御することを特徴とする結晶化方法。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 651

Fターム (28件)：

5F052AA02 ,  5F052CA04 ,  5F052CA07 ,  5F052DA09 ,  5F052DB07 ,  5F052JA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BF29 ,  5F058BF62 ,  5F058BF77 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA20