特許

J-GLOBAL ID：200903094657386510

半導体装置

発明者： 村上 善則
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033419
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252408
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】ノーマリ・オフ型で、制御性に優れ、オン抵抗の低いトランジスタを実現する。【構成】基板であるコレクタ領域2の表面に同じ導電型のエミッタ領域3を設け、コレクタ領域2の一部と、前記エミッタ領域3とを挾み込むようにU字型の固定絶縁電極6を配置する。この固定絶縁電極6はエミッタ電極3と同電位に保たれていて、かつ隣接するコレクタ領域2に空乏層を形成する材料から成る。そしてこの空乏層によってエミッタ領域3とコレクタ領域2は電気的に遮断されるように配設する。さらに、コレクタ領域2と固定絶縁電極6の絶縁膜5とに接し、エミッタ領域3には接しない反対導電型のインジェクタ領域8を設け、それに外部から任意に電位を設定できるようにしたものである。すなわち、このインジェクタ領域8の電位によって絶縁膜5界面の電位を操作したり、コレクタ領域2の伝導度を制御するものである。

請求項（抜粋）：

コレクタ領域である一導電型の半導体基体の一主面に接して、同一導電型の島状のエミッタ領域を1個または複数個有し、前記主面に、前記エミッタ領域を挟んで、溝を1個または複数個有し、前記溝の内部には絶縁膜によって前記コレクタ領域と絶縁され、かつ、前記エミッタ領域と同電位に保たれた固定絶縁電極を有し、前記固定絶縁電極は、前記絶縁膜を介して隣接する前記コレクタ領域に空乏領域を形成するような仕事関数の導電性材料から成り、前記エミッタ領域に隣接する前記コレクタ領域の一部であって、前記固定絶縁電極によって挾み込まれたチャネル領域を有し、さらに、前記固定絶縁電極を取り囲む前記絶縁膜ならびに前記コレクタ領域に接して、前記エミッタ領域には接しない、反対導電型のインジェクタ領域を有する半導体装置であって、遮断時には、前記チャネル領域に、前記固定絶縁電極の周辺に形成される前記空乏領域によって多数キャリアに対するポテンシャル障壁が形成され、前記エミッタ領域と中性の前記コレクタ領域との間を電気的に遮断し、導通時には、前記インジェクタ領域に外部から所定の電位を印加することにより、前記インジェクタ領域が接する前記絶縁膜界面へ少数キャリアを導入して反転層を形成し、前記固定絶縁電極から前記チャネル領域への電界を遮蔽することによって前記チャネル領域内の前記ポテンシャル障壁を低下させて、前記エミッタ領域と前記コレクタ領域とを電気的に導通させ、さらには、前記インジェクタ領域から前記コレクタ領域へ少数キャリアが注入されることで前記コレクタ領域の伝導度を向上させる、ことを特徴とする半導体装置。