特許

J-GLOBAL ID：200903094657450308

Nb3Al系化合物超電導体及びその製造方法

発明者： 福田 州洋 ,  岩城 源三 ,  酒井 修二
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264090
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102617
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 臨界電流密度特性に優れたNb3 Al系化合物超電導体及びその製造方法を提供するものである。【解決手段】 マトリックス19中に複数本のNb3 Alフィラメントが配置されたNb3 Al系化合物超電導体において、上記各Nb3 Alフィラメントを形成するためのNb/Alフィラメント20の外周部及び/又は該Nb/Alフィラメント20の束の内・外周に拡散障壁層を形成したものである。

請求項（抜粋）：

マトリックス中に複数本のNb3 Alフィラメントが配置されたNb3 Al系化合物超電導体において、上記各Nb3 Alフィラメントを形成するためのNb/Alフィラメントの外周部及び/又は該Nb/Alフィラメントの束の内・外周に拡散障壁層を形成したことを特徴とするNb3 Al系化合物超電導体。

IPC (10件)：

H01B 13/00 565 ,  H01B 12/10 ZAA ,  C22F 1/00 ZAA ,  C22F 1/00 625 ,  C22F 1/00 626 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 686 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 ,  C22F 1/00 692

FI (11件)：

H01B 13/00 565 F ,  H01B 12/10 ZAA ,  C22F 1/00 ZAA D ,  C22F 1/00 625 ,  C22F 1/00 626 ,  C22F 1/00 661 A ,  C22F 1/00 686 B ,  C22F 1/00 691 A ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 691 C ,  C22F 1/00 692 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高耐力Nb-Al系超電導線及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-290725   出願人：株式会社日立製作所
• Nb3 Al超電導線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-013988   出願人：古河電気工業株式会社