特許

J-GLOBAL ID：200903094660711708

半導体装置及びその製造方法

発明者： 入野田 貢
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303963
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145079
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】この発明は、低抵抗且つ、高歩留まりのAlプラグのコンタクトホールを有した半導体装置を提供するこを目的とする。【解決手段】 半導体基板101上に設けた層間絶縁膜102にコンタクトホール103が開孔され、下層の不純物領域101とこのコンタクトホール103内部を含む層間絶縁膜102の表面にシリコンとアルミニウムの反応を防止する積層バリア層104、アルミニウム配線密着層106、アルミニウム配線層108が順次積層された半導体装置であって、積層バリア層104とアルミニウム配線密着層106との間にシリサイド層105が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた絶縁膜にコンタクトホールが開孔され、下層の不純物領域とこのコンタクトホール内部を含む前記絶縁膜の表面にシリコンとアルミニウムの反応を防止する積層バリア層、アルミニウム配線密着層、アルミニウム配線層が順次積層された半導体装置であって、前記積層バリア層とアルミニウム配線密着層との間にシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 N