特許

J-GLOBAL ID：200903094663199641

磁気抵抗素子

発明者： 宮崎 照宣 ,  越村 正己
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186807
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244477
出願日： 1991年07月01日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 室温における抵抗変化率(ΔR/R)が2%以上であって弱磁場における感度が良好で、安定して使用可能な磁場範囲を有効磁場範囲の2倍以上にする。またその動作点を偏倚させる必要がなく、構造が簡単で小型化し得る。【構成】 第1強磁性薄膜11と第2強磁性薄膜12とを薄い絶縁層を含む非磁性膜13を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子10に関し、強磁性薄膜11,12はそれぞれの磁化容易軸M1,M2が互いに直交するように配置して設けられ、第1強磁性薄膜の磁化容易軸方向の保磁力が第2強磁性薄膜の磁化容易軸方向の保磁力より2倍以上大きいことを特徴とする。第1強磁性薄膜は保磁力が大きなCo元素を主成分とし、第2強磁性薄膜は電子と磁気モーメントとの相互作用が大きなFe,Ni,Co元素のうち少なくとも2種以上含む。

請求項（抜粋）：

第1強磁性薄膜(11)と第2強磁性薄膜(12)とを薄い絶縁層を含む非磁性膜(13)を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子(10)において、前記第1及び第2強磁性薄膜(11,12)はそれぞれの磁化容易軸(M1,M2)が互いに直交するように配置して設けられ、前記第1強磁性薄膜(11)の磁化容易軸方向の保磁力が前記第2強磁性薄膜(12)の磁化容易軸方向の保磁力より2倍以上大きいことを特徴とする磁気抵抗素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-049607