特許
J-GLOBAL ID:200903094666839200

超電導薄膜用マスク材

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-032140
公開番号(公開出願番号):特開平7-240542
出願日: 1994年03月02日
公開日(公表日): 1995年09月12日
要約:
【要約】【目的】 サブミクロン、さらにはナノメートルの寸法を有する酸化物超電導素子、デバイス、あるいは回路を得ることにより、これら素子、デバイス等の高性能化を図る。【構成】 酸化物系の超電導薄膜のパターン形成工程に用いる酸化物系超電導薄膜用マスク材は、有機レジスト、Cr、Co、Ni、SiまたはAl膜からなる金属膜を第1、第2の有機レジスト膜に挾まれた構造とする。【効果】 100nmあるいはこれ以下の幅を有する微細なライン、および溝パターンの形成を可能にする。さらにこれら超電導配線および超電導接合を用いた低温素子、超電導回路、および超電導デバイスの形成を可能にする。
請求項(抜粋):
酸化物系の超電導薄膜のパタン形成工程に用いるマスク材おいて、上記マスク材は、金属膜を第1、第2の有機レジスト膜で挟むことにより構成されていることを特徴とする超電導薄膜用マスク材。
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平1-208878
  • 特開平4-287382
  • 特開昭56-079428
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