特許

J-GLOBAL ID：200903094667774012

半導体レーザ

発明者： 奥田 哲朗
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323263
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163456
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 単一モードの高安定性と、高効率、高出力特性および光ファイバとの高結合効率の分布布帰還型半導体レーザを提供すること。【解決手段】 光導波路の光出射面を含む端部側の活性層領域を、光出射面に向って幅が減少するテーパ状とし、かつ該テーパ状の領域に添った回折格子の周期を他の領域よりも大きくしてブラッグ波長を一定と値に制御する。

請求項（抜粋）：

光導波路の一方の端部を光出射面とし、他方の端部を反射面とし、これら端面間に配置された活性層と、該活性層に添って該光導波路内に設けられた回折格子とを有する分布帰還型半導体レーザにおいて、前記活性層が、前記光出射面側に端面を含む領域に、前記反射面側の領域よりも幅の狭い領域を有し、かつ該幅の狭い領域に添った回折格子の周期が、前記反射面側の領域よりも大きくなっていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。