特許

J-GLOBAL ID：200903094672616247

半導体製造装置および半導体デバイス製造方法

発明者： 信楽 俊幸
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-144281
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326162
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造装置において、メンテナンス時の作業者の安全を確保し、かつ迅速にメンテナンスを行うことができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 チャンバー8内部や照明光学系2および露光投影光学系5等に不活性ガスを充填させて露光処理等を行う半導体製造装置において、メンテナンス領域の酸素濃度をあげるためのクリーンドライエアーを供給する供給手段17を設けるとともにメンテナンス領域の酸素濃度やオゾン濃度を検出するセンサー14、15を設け、装置のメンテナンス時に、クリーンドライエアー供給手段17を作動させてメンテナンス領域の酸素濃度を上げ、作業者の安全を確保する。また、メンテナンス用カバー11には、その開放状態を検知するスイッチ12と、各センサー14、15の検出結果が人体に安全なレベルになっていない場合にメンテナンス用カバー11をロックするロックプランジャー13を設ける。

請求項（抜粋）：

内部空間を外部より酸素濃度を低く設定する制御手段と、前記内部空間の少なくとも一部の領域の酸素濃度をあげるために気体を吹き付ける手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置。

FI (2件)：

H01L 21/30 516 F ,  H01L 21/30 502 G

Fターム (5件)：

5F046AA28 ,  5F046DA27 ,  5F046DB03 ,  5F046DB10 ,  5F046DC14