特許

J-GLOBAL ID：200903094673518133

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 吉見 雅士 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-054541
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252488
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニットの電気的物性を改善することにより、製造されるシリコン系薄膜光電変換装置の特性を改善できる方法を提供する。【解決手段】 基板(1)上に、一導電型層、実質的に真性半導体の結晶質シリコン系薄膜光電変換層および逆導電型層を含む結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット(3)と、この光電変換ユニットの両面を挟む一対の電極(2、4)とを有するシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあたり、プラズマCVD法により550°C以下の温度で、厚さ0.5〜10μmの結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニット(3)を形成した後、0.2〜1.0MPaの圧力の水蒸気雰囲気中において100〜300°Cの温度で熱処理する。

請求項（抜粋）：

基板上に、一導電型層、実質的に真性半導体の結晶質シリコン系薄膜光電変換層および逆導電型層を含む結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニットと、この光電変換ユニットの両面を挟む一対の電極とを有するシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあたり、プラズマCVD法により550°C以下の温度で結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニットを形成した後、0.2〜1.0MPaの圧力の水蒸気雰囲気中において100〜300°Cの温度で熱処理することを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。

Fターム (7件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA32 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051DA04