特許

J-GLOBAL ID：200903094679158180

MOSトランジスタの過電流診断装置

発明者： 早見 泰明 ,  クライソン トロンナムチャイ
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 菊谷 公男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054664
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240637
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 1本の信号線でMOSトランジスタの制御および診断を行なう。【構成】 MOS装置10では、診断される第1MOSトランジスタ1のゲート、ソース間にバイポーラトランジスタ3を設け、第1MOSトランジスタにゲート、ドレインが並列接続された第2MOSトランジスタ2でバイポーラトランジスタを制御する。検出用抵抗R1とゲート電圧検出回路4をもつ制御診断回路20が電源5とMOS装置10の間に設けられる。第1MOSトランジスタ1に過電流が流れると、第2MOSトランジスタ2によりバイポーラトランジスタ3が導通し、電源5から検出用抵抗R1を電流が流れてゲート電圧が降下する。これにより、第1MOSトランジスタ1が保護されるとともに、ゲート電圧検出回路4が電圧降下を検出して警告信号Qを出力する。ゲート電圧を監視するからMOS装置10と制御診断回路20間の接続は1本のハーネスで済む。

請求項（抜粋）：

ゲート制御用電圧を出力する電源からの制御信号を受けて駆動される第1MOSトランジスタにおいて、前記電源と第1MOSトランジスタのゲートの間には検出用抵抗が設けられるとともに、前記第1MOSトランジスタにドレインとゲートが並列接続される第2MOSトランジスタと、前記第1MOSトランジスタのゲートとソース間に設けられ、ベースが前記第2MOSトランジスタのソースに接続されて、前記第1MOSトランジスタに所定値を越える電流が流れたとき導通するバイポーラトランジスタと、前記検出用抵抗の第1MOSトランジスタ側に接続されたゲート電圧検出回路とを備えることを特徴とするMOSトランジスタの過電流診断装置。

IPC (2件)：

H03F 1/52 ,  H01L 27/00