特許

J-GLOBAL ID：200903094680164665

半導体装置

発明者： 福所 孝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062725
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267300
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 高融点金属シリサイド電極表面の熱酸化膜の電気絶縁耐圧を向上する。【構成】 ゲート酸化膜11上に、x=2.0〜2.5のWSi膜(下層)12Aと、x=2.5〜4.0のWSiX膜(上層)12Bを積層して形成し、パターニング後、熱酸化して熱酸化膜14を形成する。上層WSiX膜12BがSi過剰の組成であるため、表面に良好なSiO2絶縁膜が形成でき、電気的絶縁耐圧が向上する。

請求項（抜粋）：

表面に酸化膜が形成された高融点金属シリサイド電極層を有する半導体装置において、前記高融点金属シリサイド電極層の層上部は層下部よりも組成中にシリコン(Si)を多く含むことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-240338