自己破壊型半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-360680
公開番号（公開出願番号）：特開2000-181804
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】電力供給源の限られた電池容量で必要な期間動作させる。【解決手段】開放・短絡検出回路50、差動増幅回路52はMOSトランジスタ回路で構成され、基準電圧設定回路51は容量回路で構成される。デジタル出力バッファ回路53はCMOSインバータで構成され、制御回路乃至素子4aはCMOSセレクタ回路で構成される。電力供給源6の取り外しや短絡が発生すると、電圧変化検出回路5aにより電圧低下が検出される。これにより、制御回路乃至素子4aがオン動作し、破壊回路2と破壊用キャパシタ3が接続され、破壊回路2によって半導体集積回路1のメモリデータが破壊される。

請求項（抜粋）：

半導体メモリ素子と、このメモリ素子に記憶されたデータを処理する中央演算処理素子と、半導体メモリ素子のメモリ情報の少なくとも一部を消去することにより自己破壊を行う破壊回路と、この破壊回路により自己破壊を行うための電荷を蓄積しておく破壊用キャパシタと、破壊用キャパシタに電荷を蓄積する電力供給源の正極及び負極用に設けられた接続端子と、正極及び負極用の接続端子の端子間電圧を監視しその電圧低下に応じて検出信号を出力する電圧変化検出回路と、通常動作時は前記接続端子を介して電力供給源と破壊用キャパシタを接続し、電圧変化検出回路から検出信号が出力されたときは、前記接続を遮断して破壊用キャパシタと破壊回路を接続する制御回路乃至素子とを、同一半導体基板上に有すると共に、前記接続端子に接続された電力供給源を有する自己破壊型半導体装置であって、前記電圧変化検出回路は、電力供給源の開放・短絡を検出する開放・短絡検出回路と、所定の基準電圧を生成する基準電圧設定回路と、開放・短絡検出回路の出力電圧と基準電圧設定回路の基準電圧とを比較し、開放・短絡検出回路の出力電圧低下を検出したとき前記検出信号を出力する差動増幅回路とを備え、各回路がMOSトランジスタ回路から構成されるものであり、前記制御回路乃至素子は、CMOSセレクタ回路から構成されるものであることを特徴とする自己破壊型半導体装置。

IPC (5件)：

G06F 12/14 320 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3件)：

G06F 12/14 320 D , H01L 27/04 U , H01L 27/08 321 L

Fターム (32件)：

5B017AA07 , 5B017BA08 , 5B017BB03 , 5B017CA11 , 5B017CA12 , 5B017CA14 , 5F038AC00 , 5F038BB02 , 5F038BB04 , 5F038BE07 , 5F038BE09 , 5F038BG02 , 5F038BG03 , 5F038BG04 , 5F038BG05 , 5F038BG08 , 5F038CA03 , 5F038CA10 , 5F038CD08 , 5F038DF01 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038DF10 , 5F038DF14 , 5F038DT12 , 5F038EZ07 , 5F038EZ20 , 5F048AB03 , 5F048AB05 , 5F048AB07 , 5F048AB08 , 5F048AC03

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