特許

J-GLOBAL ID：200903094683657263

静電チャック

発明者： 会田 比呂史 ,  三上 一彦 ,  北澤 謙治
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-237115
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102485
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【構成】所定の基体表面に窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体層を具備した静電チャックであって、その抵抗体層中にSiやCなどの周期律表第4b族元素が0.01〜25原子%の割合で存在し、窒化アルミニウム主相における格子定数が窒化アルミニウム単相の格子定数からa軸で0.004〜0.025オングストローム、c軸で0.005〜0.050オングストロームだけシフトした値であるとともに、常温における体積固有抵抗が107 〜1013Ω-cmであることを特徴する。【効果】半導体製造過程において少なくとも0°Cから300°Cにわたる温度領域において安定した吸着特性を有し、残留吸着力がなく吸着力も大きい静電チャックを提供でき、静電チャックとして優れた信頼性と長期安定性が得られるとともに、静電チャックの製造コストの低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

所定の基体表面に窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体層を具備し、該抵抗体層中に周期律表第4b族元素を0.01〜25原子%の割合で含み、前記結晶相における格子定数が窒化アルミニウム単相の格子定数からa軸で0.004〜0.025オングストローム、c軸で0.005〜0.050オングストロームだけシフトした値であるとともに、常温における体積固有抵抗が107 〜1013Ω-cmであることを特徴する静電チャック。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  C04B 35/581

FI (2件)：

C04B 35/58 104 A ,  C04B 35/58 104 H