特許

J-GLOBAL ID：200903094686282562

ガス感知用センサおよびその製造方法

発明者： 高 錫 勤 ,  丁 炯 鎭 ,  宋 錫 均 ,  崔 源 國 ,  崔 東 洙 ,  全 鎭 錫
出願人/特許権者： 韓国ガス公社
代理人 (1件)： 津国 肇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341159
公開番号（公開出願番号）：特開平9-318578
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 メタンまたはプロパンに対する高い選択性を有するガス感知用センサ、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板上にSiO2 絶縁層が存在し、該SiO2 絶縁層上にSnO2 蒸着薄膜が存在し、該SnO2 薄膜上の所定部位にPt電極が存在し、該SnO2 薄膜上の残余の部位およびPt電極上にPtまたはPdがドーピングされたメタンガス感知用センサ;多結晶Al2 O3 基板上にSnO2 蒸着薄膜が存在するほかは同様の構造を有するプロパンガス感知用センサ;ならびに酸素をイオン化するとともにスズを蒸発させて、SnO2 蒸着薄膜を得る工程を含むメタンまたはプロパンガス感知用センサの製造方法。

請求項（抜粋）：

Si基板上にSiO2 絶縁層が存在し、該SiO2 絶縁層上にSnO2 蒸着薄膜が存在し、該SnO2 薄膜上の所定部位にPt電極が存在し、該SnO2 薄膜上の残余の部位およびPt電極上にPtまたはPdがドーピングされたメタンガス感知用センサ。