特許

J-GLOBAL ID：200903094691154262

受光素子を内蔵する半導体装置及びその製造方法

発明者： 岩井 誉貴
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-353904
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158291
出願日： 2001年11月20日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 高速のトランジスタと高い受光感度を有する受光素子とを同一の半導体基板上に混載することができるようにする。【解決手段】 同一の半導体基板上にトランジスタと受光素子とが混載された、いわゆるOEICにおいて、シリコン基板1と素子層2の界面に屈折率の異なる酸化膜9と窒化膜10とを交互に積層して、入射光の波長に対して反射率を向上させた多層反射膜8を形成するとともに、素子層2の表面に表面反射膜15を選択的に形成することにより、入射光を多層反射膜8と表面反射膜15で多重反射させてpinフォトダイオード3に何度も繰り返し光を入射させ、膜厚を実効的に厚くして受光感度を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に素子層が形成され、前記素子層に受光素子及び電子回路素子が互いに絶縁分離されて形成され、前記半導体基板と素子層との界面に界面反射膜が形成され、前記受光素子の表面に表面反射膜が選択的に形成されていることを特徴とする受光素子を内蔵する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 Z

Fターム (20件)：

4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118CA05 ,  4M118CA34 ,  4M118EA01 ,  4M118FC09 ,  4M118FC18 ,  4M118GA09 ,  4M118GA10 ,  4M118GD15 ,  5F049MA02 ,  5F049NA01 ,  5F049NB08 ,  5F049QA03 ,  5F049QA20 ,  5F049RA08 ,  5F049SZ16 ,  5F049SZ20