特許
J-GLOBAL ID:200903094691536068

マイクロレンズの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-356575
公開番号(公開出願番号):特開平11-186530
出願日: 1997年12月25日
公開日(公表日): 1999年07月09日
要約:
【要約】【課題】 マイクロレンズの集光位置による感度不均一性を改善することのできる、マイクロレンズの形成方法の提供が望まれている。【解決手段】 多数の画素からなる画素面上に、各画素毎に独立してマイクロレンズを設けるとともに、マイクロレンズを、射出瞳補正を行って形成するマイクロレンズの形成方法である。まずレジストを画素面上に塗布してレジスト層を形成し、次にレジスト層をパターニングしてレジストパターンを射出瞳補正した状態に形成するとともに、レジストパターン21a、21b、21cを、画素面の中央部では互いに隣り合うレジストパターン間の間隔を広くし、画素面の周辺部にいくに連れて、互いに隣り合うレジストパターン間の間隔を徐々に狭くして形成し、その後レジストパターンをリフロー処理して凸状マイクロレンズを形成するとともに、その曲率半径を画素面の中央部から周辺にいくに連れて徐々に大きくする。
請求項(抜粋):
多数の画素からなる画素面上に、各画素毎に独立してマイクロレンズを設けるとともに、該マイクロレンズを、前記画素面の中心部では該マイクロレンズ中心とこれに対応する単一画素の中心とを一致させ、画素面の周辺部にいくに連れて、漸次マイクロレンズ中心と画素中心とをずらす射出瞳補正を行って形成するマイクロレンズの形成方法であって、マイクロレンズ材料であるレジストを前記画素面上に塗布してレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングして各画素毎にそれぞれ独立したレジストパターンを射出瞳補正した状態に形成するとともに、該レジストパターンを、前記画素面の中央部では互いに隣り合うレジストパターン間の間隔を広くし、画素面の周辺部にいくに連れて、互いに隣り合うレジストパターン間の間隔を徐々に狭くして形成する工程と、前記レジストパターンをリフロー処理して上に凸の凸状マイクロレンズを形成するとともに、該凸状マイクロレンズの曲率半径を前記画素面の中央部から周辺にいくに連れて徐々に大きくする工程と、を備えてなることを特徴とするマイクロレンズの形成方法。

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