特許

J-GLOBAL ID：200903094691931501

集積されたオプトロニック薄膜センサ及びその製造方法

発明者： シュペックバッハー・ペーター ,  ミヒェル・ディーター
出願人/特許権者： ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 江崎 光史 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-612707
公開番号（公開出願番号）：特表2002-542616
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2002年12月10日
要約：

【要約】本発明に記載された型の薄膜センサを製造するために、基板に適用されるべき非常に薄い半導体膜のみが要求される。半導体膜の厚さは、光電検出器の厚さによって決定される。半導体膜に加えて基板は必要な分離構造を有する。その結果分離構造は結合品質の改良を可能にする光電検出器と光源からの非常に短い距離のみが必要とされる状況にある。基板に他の光学的要素を組み込みも可能である。

請求項（抜粋）：

目盛板(9、10)の走査のための集積されたオプトロニック薄膜センサであって、その際薄膜センサは半導体膜(11.3)から成り、 半導体膜は、測定尺(10)と反対側に少なくとも1つの光電検出器(2.1、2.2)を有し、 半導体膜は測定尺(10)と反対側に少なくとも1つの光源(1)を有し、 半導体膜は、測定尺(10)に面した側で1つの担持体(7)と結合しておりかつ担持体(7)は少なくとも1つの目盛(8.1、8.2、8.3)を有する前記オプトロニック薄膜センサにおいて、 半導体膜(11.3)の厚さは、実質的に少なくとも1つの光電検出器(2.1、2.2)の検出する領域の厚さに相応することを特徴とする前記オプトロニック薄膜センサ。

IPC (5件)：

H01L 31/12 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01D 5/34 ,  G02B 5/18

FI (5件)：

H01L 31/12 E ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G02B 5/18 ,  G01D 5/34 D

Fターム (18件)：

2F103CA02 ,  2F103CA04 ,  2F103DA01 ,  2F103EA05 ,  2F103EA19 ,  2F103EA20 ,  2F103EB06 ,  2F103EB12 ,  2H049AA03 ,  2H049AA50 ,  2H049AA64 ,  2H049AA65 ,  5F089BA02 ,  5F089BB08 ,  5F089BC02 ,  5F089BC15 ,  5F089CA20 ,  5F089GA10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平3-092716
  
• 特許第1504691号
  

審査官引用 (1件)

• 特開平3-092716