特許
J-GLOBAL ID:200903094704114419

液晶素子及び液晶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 近島 一夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-038696
公開番号(公開出願番号):特開2001-228495
出願日: 2000年02月16日
公開日(公表日): 2001年08月24日
要約:
【要約】【課題】 前状態履歴の影響や焼き付きを防止する。【解決手段】 図に示すようなアクティブマトリクス型の液晶パネルPにおいて、少なくとも画素の部分に配向制御層を配置し、リセット電圧の印加及び書き込み電圧の印加によって画像表示を行う。これにより、前のフレームの表示状態の影響(前状態履歴の影響)を少なくでき、かつ、液晶2の焼き付きを防止することができる。
請求項(抜粋):
所定間隙を開けた状態に配置された一対の基板と、これら一対の基板の間に配置されたスメクチック液晶と、複数の画素を構成すると共に該スメクチック液晶を挟み込むように配置された第1電極及び第2電極と、該第2電極への電荷の供給を制御できるように該第2電極に接続されて各画素毎に配置された複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子のゲートに接続された第3電極と、該スイッチング素子のソースに接続された第4電極と、前記スメクチック液晶に接するように配置された配向制御層と、を備え、かつ、前記第3電極に電圧を印加して前記スイッチング素子をオンすることに基づき前記第4電極と前記第2電極とを同電位にして前記スメクチック液晶が駆動されてなる液晶素子において、前記配向制御層が少なくとも各画素に配置され、かつ、前記液晶は、基板間において降温時に液晶の液体相-液晶相の相転移過程で該配向制御層は、基板と平行に接する領域から液晶相に転移が生じて該配向制御層の一軸配向規制力の軸方向に沿って連続的に相転移領域が拡大し、配向状態が形成されるものである、ことを特徴とする液晶素子。
IPC (4件):
G02F 1/141 ,  C09K 19/34 ,  G02F 1/13 500 ,  G09F 9/00 338
FI (4件):
C09K 19/34 ,  G02F 1/13 500 ,  G09F 9/00 338 ,  G02F 1/137 510
Fターム (21件):
2H088EA12 ,  2H088GA04 ,  2H088HA03 ,  2H088HA06 ,  2H088HA08 ,  2H088JA17 ,  2H088JA20 ,  2H088MA01 ,  4H027BA03 ,  4H027BC04 ,  4H027BE02 ,  4H027BE04 ,  4H027DE08 ,  4H027DE09 ,  4H027DF03 ,  4H027DL03 ,  5G435AA14 ,  5G435AA16 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE34

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