特許
J-GLOBAL ID：200903094705714479
磁気歪センサーを用いたパイプ及びチューブの非破壊評価
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-527603
公開番号（公開出願番号）：特表平11-502020
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】強磁性の及び非強磁性のパイプ(14)あるいは他の円筒状シェル構造体を検査する方法及び装置は電磁歪効果を利用して構造体内の欠陥を検出している。本発明は有効なテスト応用例を構成しており、伝送コイル素子(16)により、磁気歪効果を通して円筒状シェル構造体内に機械的パルス(15)が発生され、また、第2のコイル(24)はパイプ内の反射された機械波(15)を検出し、あるいは、1つのセンサー(10)は伝送器及び検出器双方として機能する。本発明は、また、検出コイル(16)を備えた受動的なモニター応用例も予想しており、該検出コイル(16)は、機械波、あるいは、超音波の放射(15)のための強磁性あるいは非強磁性円筒状構造体を連続してモニターしている。非強磁性構造体(14)は、センサーが置かれるべき限定区域に強磁性の材料を置き、あるいは、接合させることにより、構造体の壁にニッケルのごとき強磁性材料の層を取り付けることにより検査を受けることが可能にされている。
請求項（抜粋）：
強磁性の円筒状シェル構造体を検査してひび、クラック及び他の異常を検出してその位置を探す方法にして、 前記構造体の第1の限定された区域に第1のDCバイアス磁界を確立する工程と、 前記第1の磁界に変動を生じさせる工程と、 前記第1の磁界における前記変動から、磁気歪効果の結果として前記構造体内に一次機械波を発生させる工程と、 前記構造体の第2の限定された区域に第2のDCバイアス磁界を確立する工程と、 前記一次機械波及び二次機械波の、前記構造体内の通過の結果として前記第2の磁界の変化を検出する工程であって、逆の磁気歪効果により生じせしめられる前記第2の磁界の変化は前記機械波の通過の結果として生ずるものであり、前記第2の機械波は前記構造体における前記ひび、クラック及び他の異常からの前記一次機械波の反射から生じているものである前記第2の磁界の変化を検出する工程と、 前記二次機械波を示す前記第2の磁界の前記検出された変化を分析するとともに、前記検出された変化を、前記円筒状シェル構造体における前記ひび、クラック及び他の異常を示すとして知られている変化のパターンに相関させる工程と、 を有している方法。
IPC (2件)：
G01N 29/04 504
, G01N 29/08 502
G01N 29/04 504
, G01N 29/08 502
