特許
J-GLOBAL ID：200903094707654783
半導体装置のパッド構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152465
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343466
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 配線層が多層化した場合にも、高信頼性を備え、かつ多ピン化の容易なボンディングパッド構造を提供する。【構成】 半導体基板1上の所定領域には、第1Al配線層2が形成されており、この第1Al配線層2上には、第1層間絶縁膜5を部分的に介在させて第2Al配線層3が形成されている。この第2Al配線層3と第1Al配線層2とは、第1層間絶縁膜5に設けられた第1コンタクトホール7を介して電気的に接続されている。この第2Al配線層3上には、第2層間絶縁膜6を部分的に介在させて、パッド電極として機能する第3Al配線層4が形成されている。この第3Al配線層3は、第2層間絶縁膜6に設けられた第2コンタクトホール8を介して、第2Al配線層3と電気的に接続されている。そして、この第3Al配線層4上面の所定領域は、パッド開口部10として露出している。
請求項（抜粋）：
外部との信号の入出力を行なうパッド領域直下に形成された第1導電層と、前記第1導電層上に形成され、前記第1導電層上に位置する領域に複数のコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記第1導電層上に位置する前記層間絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホール内に充填される埋め込み導電層を介して前記第1導電層に電気的に接続されたパッド電極と、を備えた半導体装置のパッド構造。
引用特許：
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