半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-012365
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202940
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：

【課題】ドリフト領域内にフローティング領域を有するものであって,簡素な製造工程によってオン抵抗の低減が図られた半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,N- ドリフト領域12内に埋め込まれたPフローティング領域51によって高耐圧化が図られる。Pフローティング領域51は,ブレイクダウンする直前でPフローティング領域51から広がる空乏層同士が繋がるピッチで設けられている。そのため,Pフローティング領域51のピッチは広く,ドリフト抵抗成分は小さい。また,半導体装置100は,Pフローティング領域51の形成に供するゲートトレンチ21,21間に,ゲートトレンチ21よりも深さが浅いゲートトレンチ25を設けることとしている。そのため,半導体装置100は,チャネル密度が高く,結果としてチャネル抵抗成分が小さい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下方に接し第2導電型半導体であるドリフト領域とを備え,トレンチゲート構造を有する半導体装置において, 前記ドリフト領域に囲まれ,第1導電型半導体であるフローティング領域と, 前記ボディ領域を貫通し,底部が前記フローティング領域内に位置し,ゲート電極を内蔵するトレンチ部群と, 前記トレンチ部群のうちの隣り合うトレンチ部間に位置し,前記ボディ領域を貫通し,底部が前記ドリフト領域内であって前記トレンチ部群の各トレンチ部の底部よりも上方に位置し,ゲート電極を内蔵する中間トレンチ部とを備え, 前記トレンチ部群のトレンチ部に内蔵されるゲート電極と,前記中間トレンチ部に内蔵されるゲート電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 652J , H01L29/78 652N , H01L29/78 652S , H01L29/78 653A , H01L29/78 658A , H01L29/78 658G

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-178250 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-070867 出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-024284 出願人：株式会社東芝
縦型MOSFET装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-134965 出願人：オムロン株式会社
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-318059 出願人：株式会社東芝

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