特許
J-GLOBAL ID：200903094718620325
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197278
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045689
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 高い信頼性を有する高出力半導体レーザを提供する。【構成】 一対のクラッド層11、13に挟まれた活性層内12を有する共振器の、光が出射される端面15に、活性層12よりも禁制帯幅の大きな半導体からなる窓層16が形成されている。その窓層16は、不純物がドーピングされてキャリア濃度が高められている。よって、伝導帯または価電子帯の障壁が高くなり、活性層12から窓層16へのキャリアのリークが抑制されるので、共振器の端面が劣化しにくくなる。
請求項（抜粋）：
一対のクラッド層に挟まれた活性層を有する共振器と、該共振器の活性層内で増幅された光が出射される端面に形成され、該活性層よりも禁制帯幅の大きな半導体からなり、不純物をドーピングしてキャリア濃度が高められた窓層と、を有する半導体レーザ素子。
引用特許：
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