特許

J-GLOBAL ID：200903094720643332

薄膜半導体装置およびその作製方法

発明者： 須沢 秀臣 ,  魚地 秀貴 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014888
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314786
出願日： 1994年01月13日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極・配線と薄膜半導体領域(活性層)との間の信頼性を向上させ、特性の改善を図る。【構成】 島状の薄膜半導体領域の端部、特にゲイト電極が横断する部分に炭素、窒素、酸素の少なくとも1つの元素の濃度を島状半導体領域の平均よりも多くすることにより、その部分の抵抗を高め、ソース、ドレイン間のリーク電流を減少させる。

請求項（抜粋）：

島状の薄膜半導体領域と、前記半導体領域を横断するゲイト電極とを有する薄膜半導体装置において、前記半導体領域の周辺部に酸素、炭素、窒素のうち少なくとも1つの元素の濃度が、前記半導体領域の平均濃度よりも大きな領域が存在し、かつ、ゲイト電極が該領域を横断していることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 R ,  H01L 29/78 311 Y