特許
J-GLOBAL ID：200903094721307972
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-110683
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283644
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルの記憶用キャパシタと隣接するメモリセルのキャパシタを、お互いに積層し、キャパシタの表面積を広くする。【構成】 ディジット線1のメモリセルの記憶用キャパシタのポリシリ電極13を隣接するディジット線2のメモリセルに広げて、絶縁膜11を形成し、その上に容量ポリシリ10を形成し、さらに、その上に絶縁膜11を形成し、ディジット線1のメモリセルのポリシリ電極12を成長させる。【効果】 広くポリシリ電極を作れるため、蓄積できる電荷量が増し、メモリセルを縮小しても、記憶できる十分な電荷を確保できる。
請求項（抜粋）：
トランジスタと、記憶用キャパシタを有する半導体記憶装置であって、メモリセルの記憶用キャパシタと、隣接するメモリセルの記憶用キャパシタとをお互いに積層した構造を有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
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