特許
J-GLOBAL ID：200903094727697780
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320416
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168596
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】NAND型セルを用いた不揮発性メモリ回路の特性向上。【構成】NAND型セルを用いた不揮発性半導体メモリ装置において、ビット線対は、互いに電気的特性がほぼ等しく、かつ互いに、近接並行して配置されており、前記制御ゲートを駆動する制御ゲート線および前記選択ゲートを駆動する選択ゲート線は上記ビット線対と交差し、上記ビット線対上の信号を差動的に検出する手段を設けたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートが積層され、電荷蓄積層と基板との間の電荷の授受により書き込みおよび消去を行う書き替え可能なメモリセルが複数個直列接続されてNANDセルを構成してこれらセルがマトリクス配列され、前記NANDセルの一端部のドレインが選択ゲートを介してビット線に接続され、各メモリセルの制御ゲートが制御ゲート線に接続されて構成される不揮発性半導体メモリ装置において、ビット線対は、互いに電気的特性がほぼ等しくかつ互いに近接並行して配置されており、前記制御ゲートを駆動する制御ゲート線および前記選択ゲートを駆動する選択ゲート線は前記ビット線対と交差し、前記ビット線対上の信号を差動的に検出する手段を設けたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 B
, H01L 27/10 434
