特許
J-GLOBAL ID：200903094728180579
半導体電極用Al-Ni-Y 合金薄膜および半導体電極用Al-Ni-Y 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
明田 莞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093780
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003873
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 5 μΩcm以下の比抵抗とヒロック耐性の両特性とともに、高い絶縁耐圧性を有する半導体電極用Al合金薄膜を提供し、更に該半導体電極用Al合金薄膜を形成するためのAl合金スパッタリングターゲットも提供する。【解決手段】 半導体電極用Al合金薄膜を、Niを0.3 at% 以上、Y を0.3at%以上含有し、かつ0.22 CNi+0.74 CY を1.6 at% 以下 [但し、 CNi;Ni 含有量(at%)、 CY ;Y含有量(at%)]とした組成のAl合金とする。また、このAl合金薄膜形成用ターゲットを、NiとY とを含む組成のAl合金とする。
請求項（抜粋）：
合金成分として、Niを0.3 at% 以上、Y を0.3at%以上含有し、かつ0.22 CNi+0.74 CY を1.6 at% 以下 [但し、 CNi;Ni 含有量(at%) 、 CY;Y含有量(at%)]としたAl合金薄膜よりなり、合金薄膜の比抵抗が5 μΩcm以下であることを特徴とするヒロック耐性と陽極酸化膜の絶縁耐圧性が優れる半導体電極用低比抵抗Al-Ni-Y 合金薄膜。
IPC (5件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, C23C 14/14
, G02F 1/1343
, C23C 14/34
H01L 21/285 301 L
, H01L 21/285 S
, C23C 14/14 B
, G02F 1/1343
, C23C 14/34 A
