特許
J-GLOBAL ID：200903094731416699
ウエハ作製用基板及び半導体ウエハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089416
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259016
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 弛れのない劈開面をオリエンテーションフラットとする半導体ウエハを容易に歩留まりよく得る。【構成】 GaAs単結晶インゴット1を端面カット,外周研磨により、円柱状のGaAs単結晶インゴット2とし、該GaAs単結晶インゴット2の側面の、オリエンテーションフラットを劈開する端となる部分に、劈開方向と平行となる向きにV字型の切込溝7を形成し、スライシングによりウエハ形成用基板8とし、これを鏡面状に加工した後エピタキシャル層51を形成し、最終工程で上記V字型の切込溝7をきっかけとして劈開を行いオリエンテーションフラット4aを形成する。
請求項（抜粋）：
オリエンテーションフラットを有する半導体ウエハを作製するためのウエハ作製用基板において、上記ウエハ作製用基板の上記オリエンテーションフラットが形成される線上に、劈開方向と平行な向きに切込溝または切欠穴を形成したことを特徴とするウエハ作製用基板。
IPC (2件)：
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