特許

J-GLOBAL ID：200903094732988297

加熱処理方法および装置

発明者： 金井 昭司 ,  黒岩 慶造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024448
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222503
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 被処理物の各部における加熱温度と時間の積の分布を均一にする。【構成】 複数のベークユニット1〜3の各々のホットプレート4に、温度分布を測定する複数の温度センサ6を配置するとともに、各ベークユニット1〜3の間を半導体ウェハ8を移動させるウェハアームに、半導体ウェハ8を回転させる機構を設け、個々のベークユニット1〜3におけるホットプレート4の温度分布に起因する半導体ウェハ8の加熱状態のばらつきが相殺されるように、すなわち、加熱温度と時間の積が半導体ウェハ8の全面で一様になるように、半導体ウェハ8の姿勢を変化させながら、測定される温度分布が異なるベークユニット1〜3の間を逐次移動させて、半導体ウェハ8に塗布されているホトレジストのベークを実行するベーク装置である。

請求項（抜粋）：

被処理物を加熱するヒータにおける温度分布を加熱処理中に実時間で計測し、前記被処理物の各部における加熱温度と時間の積の偏りが最少となるように、前記ヒータと前記被処理物との位置関係を相対的に変化させることを特徴とする加熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 501

FI (2件)：

H01L 21/30 566 ,  G03F 7/40 501