特許

J-GLOBAL ID：200903094733380853

半導体装置の製造方法

発明者： 綱島 祥隆 ,  清利 正弘 ,  山部 紀久夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-249810
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090254
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】本発明は、製造工程数の増大を招くこと無く、半導体基板上や半導体膜上に膜厚の異なる熱酸化膜を形成できる工程を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】セル領域Aのシリコン基板1上に窒化防止膜9を形成する工程と、アンモニア雰囲気中で周辺回路領域Bのシリコン基板1の表面を窒化する工程と、窒化防止膜9を除去する工程と、熱処理によりセル領域A及び周辺回路領域Bのシリコン基板1上に熱酸化膜12a,12bを形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板の所望の表面上を選択的に窒化する工程と、熱処理により前記半導体基板上に膜厚の異なる熱酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公昭57-050061
  
• 特開平3-040431
  
• 特開昭63-197342
  
• 特開平1-057627