特許
J-GLOBAL ID：200903094738895770
半導体基板の液体による処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103737
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283387
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 液体による処理を少ない工程数で短い時間で行うことができ、生産性を高めることを可能とし、また、コーティング材等を用いる必要をなくして汚染等の問題を解決した、液体による半導体装置の処理装置を提供すること。【構成】 半導体基板1の表面1aに処理液31を吐出する第1の吐出口21と、半導体基板1の裏面1bに処理液32を吐出する第2の吐出口22とを備え、第1,第2の吐出口21,22から同時に同一もしくは異なる処理液を吐出して、半導体基板1の表面1a及び裏面1bの処理を同時に行う構成とした。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に処理液を吐出する第1の吐出口と、半導体基板の裏面に処理液を吐出する第2の吐出口とを備え、第1,第2の吐出口から同時に同一もしくは異なる処理液を吐出して、半導体基板の表面及び裏面の処理を同時に行う構成とした半導体基板の液体による処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/027
