特許

J-GLOBAL ID：200903094742117260

High-k層内に形態を形成する方法及びシステム

発明者： 高明輝 ,  シャ、アニー ,  チェン、リー
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (12件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  砂川 克 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-534576
公開番号（公開出願番号）：特表2008-515220
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：

【課題】High-k層内に形態を形成する方法及びシステムを提供することである。【解決手段】high-k層をプラズマ処理する方法は、high-k層が上に形成されている基板を、処理チャンバ内の基板ホルダ上に提供することと、この処理チャンバ内にプラズマを生成し、それによって、このhigh-k層をこのプラズマにさらすこととを含む。高周波電力がこの基板ホルダに印加され、この高周波電力は、この基板とこのhigh-k層との間に配設されている酸化物界面層の形成の割合を低減する特性を有する。デバイスは、high-k層内でエッチングされた形態を含む。このデバイスのエッチングプロファイルは、低減されたバーズビークを含むことができ、また、エッチングされた領域内におけるこの基板の表面は、エッチングされていない領域の下の基板と実質的に同一平面にすることができる。【選択図】

請求項（抜粋）：

high-k層をプラズマ処理する方法であって、 high-k層が上に形成されている基板を、処理チャンバ内の基板ホルダ上に提供することと、 前記処理チャンバ内にプラズマを生成し、それによって前記high-k層を前記プラズマにさらすことと、 高周波電力を前記基板ホルダに印加することであって、前記高周波電力は、前記基板と前記high-k層との間に配設されている酸化物界面層の形成速度を低減する特性を有していることと、 を備える方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L21/302 105A ,  H01L29/78 301F ,  H01L29/78 301G

Fターム (29件)：

5F004BB13 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DB13 ,  5F004EA31 ,  5F004EB08 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD18 ,  5F140BE13 ,  5F140BE14 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14