特許
J-GLOBAL ID：200903094745970427
シリコン基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259670
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089124
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：
【要約】【課題】 太陽電池等に用いられるシリコン基板を製造する方法において、従来法で必須であったスライス工程を省くことにより製造工程を簡略化すると同時にシリコンの有効利用率を高め、溶融工程に要するエネルギーを大幅に削減できる新規な製造方法を提供する。【解決手段】 粒径1〜1000μmの粒子状シリコンを、例えば上方に向かって開口した容器中に少なくとも2層以上重なるように密に充填し、次いで充填された前記粒状シリコンを加熱し、加熱領域や加熱時間を制御して、容器と接触している粒状シリコンが容器と固着しないようにして融着させることによりシリコン基板を製造する。
請求項（抜粋）：
粒径1〜1000μmの粒子状シリコンを融着させることを特徴とするシリコン基板の製造方法。
Fターム (10件)：
4G072AA01
, 4G072BB02
, 4G072BB12
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072MM38
, 4G072NN02
, 4G072RR30
, 4G072TT01
, 4G072UU02
