特許
J-GLOBAL ID：200903094746554826
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-283383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142442
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 ウェハをチップに分割後のチップ取扱いにおいて、チップ上面パターンへの基板破片の付着やチップ上面パターンの傷の発生を防ぐ。【構成】 基板21の上面に分離溝32を形成する。分離溝32内に犠牲層33aを形成する。基板21の下面の分離部以外に裏面電極22を形成する。裏面電極22をマスクとして基板21の分離部を下面から分離溝32に孔36が開くまでエッチング除去する。孔36に犠牲層溶融用エツチャントE2を供給し分離溝32内の犠牲層33aを除去する。基板21の側壁23に基板溶融用エッチャントE1を供給し、突起37をエッチング除去して、基板21の側壁23を裏面電極22の端部より後退させる。【効果】 基板21の側壁23を略平坦にし、基板21の側壁23を裏面電極22の端部より後退させることで、チップ分離後のチップ取扱いで、チップ上面の外観を保つ。
請求項（抜粋）：
複数のチップに分離されるべき半導体基板の上面の分離部に分離溝を形成する分離溝形成工程と、少なくとも前記分離溝内に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記半導体基板の下面の分離部以外に裏面電極を形成する裏面電極形成工程と、前記裏面電極をマスクとして半導体基板の分離部を下面からエッチング除去する下面分離部除去工程と、該下面分離部除去工程後に前記分離溝内の犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、エッチング除去された前記半導体基板の分離部の側壁面から突出する突起を除去し前記半導体基板の分離部の側壁面を略平滑にする基板側壁処理工程とを備える半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/301
H01L 21/306 C
, H01L 21/78 S
