特許

J-GLOBAL ID：200903094753811222

光起電力素子及びその製造方法

発明者： 林 享 ,  松山 深照 ,  矢島 孝博 ,  藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  岡部 正太郎 ,  幸田 勇蔵 ,  芳里 直 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124757
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051116
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 実用に適した低コストで、信頼性が高く、かつ、光電変換効率の高い光起電力素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、非単結晶半導体の積層膜を有する光起電力素子において、少なくとも第1の導電型半導体層103上にi型半導体層104、第2の導電型半導体層105,106を有し、前記第2の導電型半導体層が、前記i型半導体層の表面を価電子制御剤を含むプラズマに曝すことで形成した層A105と、前記層A上に少なくとも価電子制御剤と前記i型半導体層の主たる構成元素とを用いてCVD法で堆積した層B106と、を有する。

請求項（抜粋）：

非単結晶半導体の積層膜を有する光起電力素子において、少なくとも第1の導電型半導体層上にi型半導体層、第2の導電型半導体層を有し、前記第2の導電型半導体層が、前記i型半導体層の表面を価電子制御剤を含むプラズマに曝すことで形成した層Aと、前記層A上に少なくとも価電子制御剤と前記i型半導体層の主たる構成元素とを用いてCVD法で堆積した層Bと、を有することを特徴とする光起電力素子。

FI (3件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 T