特許
J-GLOBAL ID：200903094758142710
露光装置用ホトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-177903
公開番号（公開出願番号）：特開平5-027413
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造用露光装置のホトマスクでの光の透過部の透過率を変えて写真製版時におけるマージンを向上させる。【構成】 ガラス基板1の光透過部であって半導体ウエハでのレジスト膜が薄くなる部位と対応する部分に、光透過率の小さな透過率減衰膜11を形成した。透過率減衰膜11を透過した光は光強度が低下する。このため、ホトマスクにおける光が透過する部分での光透過率を変えることができるようになり、半導体ウエハでのレジスト膜が薄い部位には低い光強度をもって光を照射できる。したがって、半導体ウエハでのレジスト膜厚に応じた最適露光量をもって露光できる。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上にマスクパターンが形成された露光装置用ホトマスクにおいて、前記ガラス基板の光透過部であって半導体ウエハでのレジスト膜が薄くなる部位と対応する部分に、光透過率の小さな透過率減衰膜を形成したことを特徴とする露光装置用ホトマスク。
IPC (2件)：
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