特許

J-GLOBAL ID：200903094759822862

高純度金属フッ化物の製造方法

発明者： 小林 健二
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049899
公開番号（公開出願番号）：特開平6-239604
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年08月30日
要約：

【要約】【目的】 目的とする金属に併存する遷移金属の不純物を除去して高純度の金属フッ化物を製造する方法を提供する。【構成】 目的とする金属を含む水溶液のpHを調整した後にβ-ジケトンを添加して不純物金属を湿式除去し、その後フッ素化剤を用いて前記高純度金属フッ化物の沈殿を作製し、前記沈殿を脱水、乾燥させる高純度金属フッ化物の製造方法。目的とする金属の例には、Zn、Cd、In、Pb、Gaがあり、該金属又はその化合物を溶解した水溶液が用いられる。フッ素化は、2段階で行うと、より効果的である。【効果】 フッ化物光ファイバアンプの出発金属原料として用いることにより、増幅度の高い光ファイバアンプを製造できる利点がある。

請求項（抜粋）：

高純度金属フッ化物を製造する方法において、該金属を含む水溶液のpHを調整した後にβ-ジケトンを添加して不純物金属を湿式除去し、その後フッ素化剤を用いて前記高純度金属フッ化物の沈殿を作製し、前記沈殿を脱水、乾燥させることを特徴とする高純度金属フッ化物の製造方法。

IPC (5件)：

C01B 9/08 ,  C01G 9/04 ,  C01G 11/00 ,  C01G 15/00 ,  C01G 21/16