特許

J-GLOBAL ID：200903094762434342

半導体膜形成方法

発明者： 三 友 亨
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284350
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132276
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】アスペクト比の高い表面にも、良好な平坦性を持ちかつ、膜質が良い酸化膜を形成することが可能な半導体膜形成方法の提供。【構成】一般式 (R1 R2 N)n SiH4-n(但し、上式において、R1 、R2 がH-,CH3 -,C2 H5 -,C3 H7 -,C4 H9 -のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがH-でない。nは1〜4の整数である)で表わされる有機シラン化合物と酸素を含んだ化合物を加えて原料ガスとして化学気相成長法により酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体膜形成方法。

請求項（抜粋）：

一般式 (R1 R2 N)n SiH4-n(但し、上式において、R1 、R2 がH-,CH3 -,C2 H5 -,C3 H7 -,C4 H9 -のいずれかであり、そのうち少なくとも一つがH-でない。nは1〜4の整数である)で表わされる有機シラン化合物と酸素を含んだ化合物を加えて原料ガスとして化学気相成長法により酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  C30B 29/18 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/90