特許

J-GLOBAL ID：200903094763143228

電力変換装置及びそれに用いるGaN系半導体装置

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-247518
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229566
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 安定動作を保証する高い信頼性と高い効率を備えた電力変換装置及びそれを実現するために用いる構成部品としてのGaN系半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 スイッチング素子としてのパワーFET10のソース・ドレイン間に、保護素子としてのGaN系ショットキーダイオード20が接続されている。このGaN系ショットキーダイオード20では、アンドープのGaN層23上にアンドープのAlGaN層24が形成されている。AlGaN層24に隣接して、n型GaN層26がGaN層23上に形成されている。GaN層23とAlGaN層24とのヘテロ接合界面近傍に2次元電子ガスが発生している。n型GaN層26上にオーミック接触して、カソード電極27が形成され、AlGaN層24上にショットキー接触して、アノード電極28が形成されている。

請求項（抜粋）：

電力変換回路を有する電力変換装置であって、前記電力変換回路を構成するスイッチング素子の保護素子として、GaN系ショットキーダイオード又はGaN系電界効果トランジスタが用いられていることを特徴とする電力変換装置。

IPC (12件)：

H01L 29/47 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8236 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 657 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (8件)：

H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 657 B ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/80 P ,  H01L 29/80 E ,  H01L 29/44 S ,  H01L 27/08 311 B ,  H01L 27/04 H

Fターム (57件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB27 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F038BG03 ,  5F038BH04 ,  5F038BH15 ,  5F038CD16 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048CC06 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GC07 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01