半導体装置の製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125578
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321598
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】同一機種の多数の製造装置間に装置のインピーダンスの差が存在していてもそれを容易に補償することにより、ウェハ処理条件を一定にして生産性を向上させる。【解決手段】対向配置した第1および第2の電極2、3を有するプラズマ処理室4と、第1の電極2に整合回路6を介して接続された高周波電源4と、第2の電極3に接続されるインピーダンス調整回路17を有するインピーダンス測定・調整手段20とを具備する。

請求項（抜粋）：

たがいに対向配置した第1および第2の電極を有するプラズマ処理室と、前記第1の電極に整合回路を介して接続された高周波電源と、前記第2の電極に接続されるインピーダンス調整回路を有するインピーダンス測定・調整手段とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭54-040079
高周波装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-233776 出願人：日本電子株式会社

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