半導体装置及びその実装方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119946
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326628
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】熱をエミッタ電極より実装基板に直接逃がす構造で,バンプの位置合わせ等フリップチップ実装の場合に要求される微妙な調整を不要とする。【構成】 1)表面側にトランジスタが形成された半導体チップ12の表面に該トランジスタのエミッタに接続するエミッタ電極 7が形成され,該半導体チップ12に開けられた貫通孔 9を介して該トランジスタのベース及びコレクタに接続するベース電極10及びコレクタ電極11が該半導体チップ12の裏面に形成されている半導体装置,2)前記エミッタ電極 7がバンプを有して構成される,3)前記エミッタ電極 7の周囲が樹脂で埋め込まれている,4)前記1乃至3記載の半導体装置の前記エミッタ電極 7を実装基板上の電極に固着して電気的に接続する実装方法。

請求項（抜粋）：

表面側にトランジスタが形成された半導体チップ(12)の表面に該トランジスタのエミッタに接続するエミッタ電極(7) が形成され,該半導体チップ(12)に開けられた貫通孔(9) を介して該トランジスタのベース及びコレクタに接続するベース電極(10)及びコレクタ電極(11)が該半導体チップ(12)の裏面に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/321 , H01L 23/34

FI (2件)：

H01L 29/72 , H01L 21/92 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-025031
縦型構造トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249400 出願人：シャープ株式会社

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