特許
J-GLOBAL ID:200903094769169997

第2高調波発生素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-036139
公開番号(公開出願番号):特開平5-341342
出願日: 1992年01月24日
公開日(公表日): 1993年12月24日
要約:
【要約】【目的】 分極の芽領域から延在させた分極反転領域を周期的に配置することで理想的な矩形状の分極反転格子を実現し高効率にSHG光を発生させる。【構成】 LiTaO3 或いはLiNbO3 基板を用いて、まず基板表面に格子パターンのプロトン交換層すなわち分極の芽領域を形成し、パターン形成後、温度200°C以上で保持時間10分以内で熱処理を行う。前記熱処理温度までの温度勾配を50°C/分以上、熱処理温度からの降温速度を50°C/分以上で行うことでプロトン交換領域から下方に分極反転領域を形成し、その先端を鋭角にすると共に形成される分極反転格子の深さ/幅比が1を超えるようにする。これにより、高効率のSHG素子を実現できる。
請求項(抜粋):
基板上に周期的に形成された分極の芽領域と、前記芽領域から延在されて先端が鋭角になされた分極反転領域とを有し、前記分極の芽領域と前記分極反転領域により形成される分極反転格子の深さ/幅比が1を超えていることを特徴とする第2高調波発生素子。

前のページに戻る