半導体装置およびその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345088
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228526
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】珪素を含む結晶質半導体膜へ13族に属する不純物元素および15族に属する不純物元素を制御性良くドーピングすることを目的とする。【解決手段】本発明は、薄い絶縁膜111aを介して不純物のドーピングを行い、低濃度不純物領域(LDD領域)112を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上にゲート電極と、前記ゲート電極に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接し、高濃度不純物領域、チャネル形成領域、及び前記高濃度不純物領域と前記チャネル形成領域との間に形成された低濃度不純物領域からなる活性層と、前記低濃度不純物領域上に接する絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1365

FI (7件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 627 C , H01L 29/78 627 B

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