特許
J-GLOBAL ID:200903094776124460

電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-373352
公開番号(公開出願番号):特開2005-208620
出願日: 2004年12月24日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】 ドット再現性に優れた接触帯電用電子写真感光体、ならびに、該接触帯電用電子写真感光体および接触帯電手段を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】 電界強度が15[V/μm]になるように電子写真感光体の表面を帯電して表面電位を所定の値E[V]にし、露光開始後T[ms]経過した時点の電子写真感光体の表面電位が0.8E[V]になる露光条件で露光した場合の光減衰曲線の露光開始後T[ms]経過した時点での傾きをmとし、帯電終了後T[ms]経過した時点の表面電位が0.8E[V]になる帯電条件で電子写真感光体の表面を帯電し、その後に露光を行わない場合の暗時表面電位減衰曲線の帯電終了後T[ms]経過した時点での傾きをm’としたとき、|m-m’|≦0.030。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
接触帯電手段の被帯電体として用いられ、かつ、支持体、該支持体上に設けられた電荷発生物質を含有する電荷発生層、および、該電荷発生層上に設けられた電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を有する電子写真感光体において、 該電子写真感光体にかかる電界強度が15[V/μm]になるように該電子写真感光体の表面を帯電して該電子写真感光体の表面電位を所定の値E[V]にし、次いで、該電子写真感光体の表面を露光開始後T[ms]経過した時点の該電子写真感光体の表面電位が0.8E[V]になる露光条件で露光した場合の光減衰曲線の露光開始後T[ms]経過した時点での傾きをmとし、 帯電終了後T[ms]経過した時点の該電子写真感光体の表面電位が0.8E[V]になる帯電条件で該電子写真感光体の表面を帯電し、その後に露光を行わない場合の暗時表面電位減衰曲線の帯電終了後T[ms]経過した時点での傾きをm’としたとき、 mおよびm’が下記式(I) |m-m’|≦0.030 ・・・(I) を満足することを特徴とする電子写真感光体 (ただし、T=〔{d2/(μ×E)}×100〕×10-5であり、dは該電荷輸送層の膜厚[μm]であり、μは該電荷輸送層のドリフト移動度[cm2/(V・s)]である)。
IPC (1件):
G03G5/043
FI (1件):
G03G5/043
Fターム (11件):
2H068AA20 ,  2H068AA34 ,  2H068AA35 ,  2H068AA37 ,  2H068BA63 ,  2H068BA64 ,  2H068EA41 ,  2H068FA27 ,  2H068FB07 ,  2H068FC01 ,  2H068FC05
引用特許:
出願人引用 (3件)

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